liguan1218@163.com
15562450816
中文 | English
網站首頁
關于我們
公司簡介
企業(yè)文化
專利證書
產品展示
第一代半導體工藝設備
第二代半導體工藝設備
第三代半導體工藝設備
第四代半導體工藝設備
石墨烯設備
晶體設備
新聞資訊
公司新聞
行業(yè)資訊
合作伙伴
工程團隊
招賢納士
管理理念
加入力冠
聯(lián)系我們
English
關鍵詞:
SiC高溫氧化設備
? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的氧化處理,可實現(xiàn)SiC片在高溫真空環(huán)境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用濕法氧化氣體或N2O、NO、NO2,是最安全的毒性氣體氧化爐 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節(jié) ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計,提供工藝腔的潔凈度
SiC高溫氧化
怎么才能選擇一款適合您的?
讓我們協(xié)助您!
我們的專家盡快與您聯(lián)系,滿足您更多需求。
最新產品
氮化鎵(GaN)HVPE單晶生長設備 臥式
氮化鎵(GaN)HVPE單晶生長設備 立式
PVT單晶生長設備
SiC籽晶粘接設備
MPCVD設備
SiC高溫退火設備
坩堝下降設備
LPCVD 臥式
LPCVD 立式
最新新聞
政府特聘顧問
公司新工廠開工儀式
公司資本簽約儀式
山東省委常委、濟南市市委書記劉強蒞臨我司參觀
海陽市副市長曲延濤來我司調研
濟南市槐蔭區(qū)委書記孫常建同志來我司調研
在線留言
石墨烯薄膜設備
晶體生長設備
快速退火爐
地址:濟南市槐蔭區(qū)濟南寬禁帶半導體產業(yè)園
電話:15562450816
郵箱:liguan1218@163.com
Copyright ? 山東力冠微電子裝備有限公司
網站建設:中企動力 濟南二分 | 標簽 | 營業(yè)執(zhí)照 | 城市分站